網站地圖
產品導航
服務承諾
當前位置:首頁 > 產品中心 > 化學氣相沉積係統(CVD) > 等離子增強CVD係統(PECVD)

等離子增強CVD係統(PECVD)

石墨烯生長爐PECVD設備
石墨烯生長爐PECVD設備
型號:KJ-T1200-S60LC-H2
用途:KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯製備機是由KJ-T1200開啟式滑軌奶茶视频有容乃大、真空係統、質量流量計氣路係統、等離子電源係統組成。可適用於石墨烯生長等
等離子體增強化學氣相沉積係統
等離子體增強化學氣相沉積係統
型號:KJ-PECVD-D1
用途:等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術是借助於輝光放電(等離子體)使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜技術生長的一種係的製備技術。我公司依據實驗要求設計製作該款設備以適應各類薄膜研究的需要。
混氣PECVD設備
混氣PECVD設備
型號:KJ-T1200 PECVD
用途:KJ-T1200 PECVD 是一種 PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)的奶茶视频有容乃大係統,它由 500W 射頻電源、帶有 200毫米直徑石英管的可拆分奶茶视频有容乃大、真空泵和三通道質量流量計氣體流動係統組成。它可以混合 1-3 種氣體用於 CVD 或擴散。
立式PECVD設備
立式PECVD設備
型號:KJ-PECVD-DZ
用途:廣泛應用於:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型矽(a-Si:H) 等。
高溫化學氣相沉積係統
高溫化學氣相沉積係統
型號:KJ-T1500CVD-DZ
用途:主要用於TaC、HfC等物料及其複合碳化物等超高熔點塗層化學氣相沉積製備工藝研究
高真空PECVD設備
高真空PECVD設備
型號:KJ-T1200-S5030-H
用途:廣泛應用於沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。
帶預熱係統滑動式PECVD設備
帶預熱係統滑動式PECVD設備
型號:KJ-T1200-S06LC-YR
用途:是應用於生長納米線或用CVD方法來製作各種薄膜的一款新的探索工具。
滑道式PECVD係統
滑道式PECVD係統
型號:KJ-T1200-S6044-LK-Z
用途:滑道式PECVD係統由PT-1200T奶茶视频有容乃大加熱係統、真空係統、質量流量計供氣係統、等離子射頻電源係統組成。廣泛應用於沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)等。
六通道高真空PECVD設備
六通道高真空PECVD設備
型號:KJ-T1200-S60-6ZH-PE
用途:可應用於納米材料生長,石墨烯生成、金屬薄膜,陶瓷薄膜等,複合薄膜等各種薄膜等
旋轉PECVD係統
旋轉PECVD係統
型號:KJ-T1200-S80-DZPECVD-R
用途: 該係統廣泛應用於沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。
混氣管式PECVD係統
混氣管式PECVD係統
型號: KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S
用途: KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S多路混氣管式PECVD係統廣泛應用於沉積高質量SiO薄膜、Si3N4薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)等
在線客服 聯係方式 二維碼

服務熱線

177-3714-9370

掃一掃,關注奶茶视频污

手机版  WAP版