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化學氣相沉積係統(CVD)

石墨烯生長爐PECVD設備
石墨烯生長爐PECVD設備
型號:KJ-T1200-S60LC-H2
用途:KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯製備機是由KJ-T1200開啟式滑軌奶茶视频有容乃大、真空係統、質量流量計氣路係統、等離子電源係統組成。可適用於石墨烯生長等
3通道CVD設備
3通道CVD設備
型號:KJ-T1600 -3M
用途:KJ-T1600 CVD 是一種奶茶视频有容乃大,具有 80mm 直徑的氧化鋁管和三通道質量流量計氣體流動係統。 它可以混合1-3種氣體用於CVD或擴散。
三溫區CVD設備
三溫區CVD設備
型號:KJ-OTF-1700-F5
用途:此款三溫區CVD生長係統適用於CVD工藝,如碳化矽鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
雙爐體CVD設備
雙爐體CVD設備
型號:KJ-T1200-W2
用途:該雙爐體CVD係統為定製款,適用於CVD工藝,如碳化矽鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
等離子體增強化學氣相沉積係統
等離子體增強化學氣相沉積係統
型號:KJ-PECVD-D1
用途:等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術是借助於輝光放電(等離子體)使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜技術生長的一種係的製備技術。我公司依據實驗要求設計製作該款設備以適應各類薄膜研究的需要。
混氣PECVD設備
混氣PECVD設備
型號:KJ-T1200 PECVD
用途:KJ-T1200 PECVD 是一種 PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)的奶茶视频有容乃大係統,它由 500W 射頻電源、帶有 200毫米直徑石英管的可拆分奶茶视频有容乃大、真空泵和三通道質量流量計氣體流動係統組成。它可以混合 1-3 種氣體用於 CVD 或擴散。
立式PECVD設備
立式PECVD設備
型號:KJ-PECVD-DZ
用途:廣泛應用於:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型矽(a-Si:H) 等。
高溫化學氣相沉積係統
高溫化學氣相沉積係統
型號:KJ-T1500CVD-DZ
用途:主要用於TaC、HfC等物料及其複合碳化物等超高熔點塗層化學氣相沉積製備工藝研究
流化床CVD係統
流化床CVD係統
型號:KJ-CVD-DZ
用途:主要用於物料及其複合碳化物等超高熔點塗層化學氣相沉積製備工藝的研究。
1200℃雙管滑道式CVD係統
1200℃雙管滑道式CVD係統
型號:KJ-1200T
用途:專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關於柔性金屬箔電極方麵的研究。
高真空PECVD設備
高真空PECVD設備
型號:KJ-T1200-S5030-H
用途:廣泛應用於沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。
CVD係統
CVD係統
型號:KJ-T1600-CVD
用途:廣泛應用於半導體工業中,包括大範圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜,該設備可在目標材料表麵形成密集的HfCl4塗層.
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